

Ref: RD100HHF1
Sofort verfügbarMatch-Pair-Finale für Yaesi FT-991, FT991A
ORIGINAL YAESU-ERSATZTEILE
BESCHREIBUNG
RD100HHF1 ist speziell ein MOS-FET-Transistor
entworfen
für HF-Hochleistungsverstärkeranwendungen.
MERKMALE
•Hohe Energie
und High Gain:
Pout > 100 W, Gp > 11,5 dB bei Vdd = 12,5 V, f = 30 MHz
•Hoch
Effizienz: typ. 60 % im HF-Band
ANWENDUNG
Für Ausgangsstufe mit hoher Leistung
HF-Verstärker
Band-Mobilfunkgeräte.
Technische Daten